2023 年 8 月 3 日，中国 - 意法半导体 宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式 Power GaN HEMT( 高电子迁移率晶体管 ) 器件。 STPOWER™ GaN 晶体管 提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。

该系列先期推出的两款产品 SGT120R65AL 和 SGT65R65AL 都是工业级 650V 常关 G-HEMT™ 晶体管，采用 PowerFLAT 5x6 HV 贴装封装，额定电流分别为 15A 和 25A ，在 25°C 时的典型导通电阻 (R _DS(on) ) 分别为 75m Ω 和 49m Ω 。此外， 3nC 和 5.4nC 的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通 / 关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款新 GaN 晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。

在接下来的几个月里， 意法半导体 将推出新款 PowerGaN 产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括 PowerFLAT 8x8 DSC 和 LFPAK 12x12 大功率封装。

意法半导体 的 G-HEMT 器件将加速功率转换系统向 GaN 宽带隙技术过渡。 GaN 晶体管的击穿电压和导通电阻 R _DS(on) 与硅基晶体管相同，而总栅极电荷和寄生电容更低，且无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以用更小的无源器件实现更高的开关频率，提高功率密度。因此应用设备可以变得更小，性能更高。未来， GaN 还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。

意法半导体 PowerGaN 分立器件的产能充足，能够支持客户快速量产需求。 SGT120R65AL 和 SGT65R65AL 现已上市， 采用 PowerFLAT 5x6 HV 封装 。